中心簡介
浙江大學杭州國際科創中心成立于2019年2月28日，是新時代浙江大學和杭州市全面深化市校戰略合作共建的重大科技創新平臺，是浙江省深入貫徹習近平總書記考察浙江重要講話精神、全面落實省委十四屆七次全會部署、建設高水平創新型省份，打造“互聯網+”、新材料和生命健康三大科創高地的重大標志性工程。科創中心致力建設面向人才培養、前沿科技和社會服務的新型大學校區，推動成果轉化、技術交易和產業投資的開放科技園區，促進技術創新、產業創新和制度創新的卓越創新特區，打造先進制造業的示范地、創新經濟的策源地、硬核科技的集聚地。
浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院緊緊圍繞國家重大戰略需求和浙江省戰略性新興產業發展布局，以數字化改革為引領，以寬禁帶半導體材料、功率芯片和射頻芯片的研發與產業化為核心，以封裝測試和應用技術作為服務支撐，擁有國際一流的大型儀器設備和超凈實驗室等研發設施，目前已獲批浙江省寬禁帶功率半導體材料與器件重點實驗室，國內唯一的全鏈條開放式寬禁帶半導體材料、器件及應用創新高能級科研平臺，研究院由楊德仁院士擔任首席科學家，學術委員會主任由鄭有炓院士擔任，院長由盛況教授擔任，整合浙江大學電氣學院、材料學院、信電學院以及上下游相關企業力量，著力打造第三代半導體研發、制造、應用和測試評價全產業鏈的新格局，驅動浙江省、長三角地區的第三代半導體產業的發展與轉型，以硬核科技成果支撐浙江省乃至全國相關戰略產業發展，提高我國在寬禁帶半導體領域的國際競爭力和影響力。
崗位條件及待遇保障
研究室及人才需求
在科創我們期待與這樣的您相遇
申請方式
有意向申請者請將詳細個人簡歷（包括個人基本信息、學習和工作經歷、主要學術成績、承擔科研項目情況、發表文章目錄、專利及獲獎情況等）整合為單一PDF文檔，以“姓名+研究室+學科方向+崗位 ”命名發送至郵箱：botong@zju.edu.cn
詳情請咨詢：0571-82995625
地址：浙江省杭州市蕭山區建設三路733號浙江大學杭州國際科創中心（啟動區塊）
更多招聘信息詳見浙大杭州科創中心官網：https://ehr.hic.zju.edu.cn
號外！引才薦賢獎
科創中心在尋覓“千里馬”的同時，也針對鳴知其意、慧眼識珠的“伯樂”，推出了引才薦賢獎！成功引薦頂尖人才、攻堅人才、青年人才并全職到科創中心工作的，分別給予稅前 20-50 萬/人、15-20 萬/人、3 萬/人的引才獎勵。歡迎您將優秀的TA推薦給我們！
浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院
現面向全球持續招募各類人才崗位，亟待各路英才加盟！
本招聘啟事長期有效，歡迎大家聯系和引薦！
浙江大學杭州國際科創中心成立于2019年2月28日，是新時代浙江大學和杭州市全面深化市校戰略合作共建的重大科技創新平臺，是浙江省深入貫徹習近平總書記考察浙江重要講話精神、全面落實省委十四屆七次全會部署、建設高水平創新型省份，打造“互聯網+”、新材料和生命健康三大科創高地的重大標志性工程。科創中心致力建設面向人才培養、前沿科技和社會服務的新型大學校區，推動成果轉化、技術交易和產業投資的開放科技園區，促進技術創新、產業創新和制度創新的卓越創新特區，打造先進制造業的示范地、創新經濟的策源地、硬核科技的集聚地。
浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院緊緊圍繞國家重大戰略需求和浙江省戰略性新興產業發展布局，以數字化改革為引領，以寬禁帶半導體材料、功率芯片和射頻芯片的研發與產業化為核心，以封裝測試和應用技術作為服務支撐，擁有國際一流的大型儀器設備和超凈實驗室等研發設施，目前已獲批浙江省寬禁帶功率半導體材料與器件重點實驗室，國內唯一的全鏈條開放式寬禁帶半導體材料、器件及應用創新高能級科研平臺，研究院由楊德仁院士擔任首席科學家，學術委員會主任由鄭有炓院士擔任，院長由盛況教授擔任，整合浙江大學電氣學院、材料學院、信電學院以及上下游相關企業力量，著力打造第三代半導體研發、制造、應用和測試評價全產業鏈的新格局，驅動浙江省、長三角地區的第三代半導體產業的發展與轉型，以硬核科技成果支撐浙江省乃至全國相關戰略產業發展，提高我國在寬禁帶半導體領域的國際競爭力和影響力。
崗位條件及待遇保障
| 崗位名稱 | 待遇保障 | 崗位申報條件 |
| 頂尖人才 | 科創中心為頂尖人才及其創新團隊提供充足科研資助和有競爭力的薪酬保障，采取“一人一議、一事一議”的方式。 | 中國科學院和工程院院士、發達國家院士、諾貝爾獎獲得者、國際大獎獲得者或相當水平的海內外頂尖學者。 |
| 攻堅人才 |
（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議； （2）符合條件者可享受科創中心人才房政策； （3）提供500-1200萬科研資助； （4）提供150m2+辦公、科研用房； （5）提供“專人一站式”服務，共享科創中心大型儀器設備； （6）符合條件者可享受杭州市、蕭山區相應人才政策，協助申請人才配套用房； （7）符合相關要求的，可申請浙江大學長聘教職崗位。 |
教育部“獎勵計劃”獲得者、國家杰出青年科學基金獲得者或相當水平的海內外領軍學者。 |
| 青年人才-“科創百人計劃”（求是科創學者） |
（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議； （2）符合條件者可享受科創中心人才房政策； （3）提供300萬+科研資助； （4）提供良好的辦公環境和充足的研究空間； （5）可兼聘至浙江大學相關院系，領域資深專家擔任職業導師； （6）提供“專人一站式”服務，共享科創中心大型儀器設備； （7）符合條件者可享受杭州市、蕭山區相應人才政策，協助申請地方政府人才配套用房； （8）符合相關要求的，可申請浙江大學長聘/預聘教職崗位。 |
在海內外高水平大學或研究機構獲得博士學位；具有國際高水平大學助理教授相當學術水平，或海內外龍頭企業總工程師、副總工程師、技術總監等職位相當水平；能獨立發展一個學術或工程技術方向，有潛力成長為學術或技術帶頭人；年齡一般在35周歲左右，特別優秀者可適當放寬；具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學等方向堅實的專業基礎和較深的學術造詣，對寬禁帶半導體材料與器件研究領域有足夠的學科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過交叉學科研究者優先考慮；有寬禁帶半導體材料與器件領域院士或國際知名專家推薦者優先考慮。 |
| 青年人才-科創青年人才 |
（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議； （2）符合條件者可享受科創中心人才房政策； （3）提供50-100萬科研資助； （4）提供良好的辦公環境和充足的研究空間； （5）提供“專人一站式”服務，共享科創中心大型儀器設備； （6）符合條件者可享受杭州市、蕭山區相應人才政策，協助申請地方政府人才配套用房； （7）符合相關要求的，可申請浙江大學長聘/預聘教職崗位。 |
在國內外頂尖高校或知名研究機構獲得博士學位；在相關領域具有良好的學科背景、研究積累以及創新研究思路，有堅實的專業基礎和較深的學術造詣；具備作為獨立PI開展研究工作的能力；年齡一般不超過35周歲；具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學等方向堅實的專業基礎和較深的學術造詣，對寬禁帶半導體材料與器件研究領域有足夠的學科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過交叉學科研究者優先考慮；原則上要求至少有一站博士后或兩年工作經歷。 |
| 博士后研究人員 |
（1）根據科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應屆博士畢業生另可獲得杭州市應屆生生活補貼10萬元）； （2）對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區分別給予相應配套資助； （3）參與科創中心重大課題研究并取得顯著成績的，可獲得額外資助或津貼； （4）提供一流的實驗與科學研究條件； （5）協助申請杭州市、蕭山區人才配套用房； （6）工作期間表現優秀、業績突出者，如符合相應要求，可優先推薦申請科創中心“求是科創學者”崗位或技術開發崗位； （7）在站期間，符合條件者可申報科創中心相關系列高級專業技術職務；出站優秀者入職科創中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼； （8）入選者符合杭州市高層次人才標準的，可協助解決子女入園入托問題。 |
近三年內獲得博士學位，身心健康，年齡不超過35周歲；具有相關學科背景；有較強的團隊合作意識和獨立科研工作能力；具備良好的英語聽說讀寫能力；能夠全職從事博士后工作，無博士后退站經歷。 |
在科創我們期待與這樣的您相遇
| 序號 | 全名 | 重點引進方向 | 需求專業 |
| 1 | 半導體材料研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才、青年人才及博士后） |
寬禁帶半導體材料（包括但不限于以下方向）： 碳化硅單晶的生長、碳化硅薄膜的外延、碳化硅中的雜質和缺陷、碳化硅的電化學、碳化硅的表面及界面、碳化硅的新穎原型器件、氮化鎵薄膜的外延、半導體金剛石單晶薄膜的生長、氧化鎵單晶的生長、氧化鎵中的雜質和缺陷、寬禁帶半導體材料與二維材料的前沿交叉、寬禁帶半導體材料的制備和加工設備。 |
物理、材料、微電子、電氣工程、化學等相關專業 |
| 2 | 功率芯片研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才、青年人才及博士后） |
寬禁帶半導體器件（包括但不限于以下方向）： 碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、氧化鎵功率器件、其他寬禁帶功率器件、單芯片集成技術、多芯片集成技術、芯片散熱技術、能量收集技術、寬禁帶傳感技術芯片、其他寬禁帶技術等。 |
物理、材料、微電子、電氣工程、化學等相關專業 |
| 3 | 封裝測試研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才、青年人才及博士后） |
封裝測試和應用（包括但不限于以下方向）： 功率器件的封裝、其他相關器件的封裝、模塊集成測試技術和電力電子裝置的開發。 |
物理、材料、電氣工程、微電子等相關專業 |
| 4 | 射頻芯片研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才） |
射頻芯片（包括但不限于以下方向）： 氮化鎵射頻器件、氧化鎵射頻器件、金剛石射頻器件、射頻芯片設計開發（如功率放大器、低噪聲放大器、開關、混頻器、微波控制芯片、頻率變換芯片、微波多功能芯片等）。 |
微電子、電磁場與微波、電子工程、半導體器件與工藝、凝聚態物理、信息處理技術、軟件開發與計算機應用技術、自動控制與系統工程、傳感器與執行器技術等相關專業 |
| 5 | MEMS實驗室（該實驗室招聘攻堅人才） |
MEMS（包括但不限于以下方向）： 薄膜體聲波諧振器（FBAR）技術、聲表面波（SAW）技術、射頻有源無源異質異構單片集成技術、5G/6G射頻濾波器開發及產業化等。 |
電子科學與技術、微電子、物理、材料、通信等相關專業 |
有意向申請者請將詳細個人簡歷（包括個人基本信息、學習和工作經歷、主要學術成績、承擔科研項目情況、發表文章目錄、專利及獲獎情況等）整合為單一PDF文檔，以“姓名+研究室+學科方向+崗位 ”命名發送至郵箱：botong@zju.edu.cn
詳情請咨詢：0571-82995625
地址：浙江省杭州市蕭山區建設三路733號浙江大學杭州國際科創中心（啟動區塊）
更多招聘信息詳見浙大杭州科創中心官網：https://ehr.hic.zju.edu.cn
號外！引才薦賢獎
科創中心在尋覓“千里馬”的同時，也針對鳴知其意、慧眼識珠的“伯樂”，推出了引才薦賢獎！成功引薦頂尖人才、攻堅人才、青年人才并全職到科創中心工作的，分別給予稅前 20-50 萬/人、15-20 萬/人、3 萬/人的引才獎勵。歡迎您將優秀的TA推薦給我們！
浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院
現面向全球持續招募各類人才崗位，亟待各路英才加盟！
本招聘啟事長期有效，歡迎大家聯系和引薦！
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業+中國博士人才網）
中國-博士人才網發布
聲明提示：凡本網注明“來源：XXX”的文/圖等稿件，本網轉載出于傳遞更多信息及方便產業探討之目的，并不意味著本站贊同其觀點或證實其內容的真實性，文章內容僅供參考。
