中國科學院半導體研究所固態光電信息技術研究室H組致力于研究III-V組化合物半導體單晶材料生長和襯底制備等工作研制高性能紅外光電探測器及激光器用晶圓材料。根據工作需要，擬招聘研發人員1-2名，相關情況如下：
一、 工作方向：
半導體材料的晶體生長、化學腐蝕、表面處理及缺陷分析等相關研發工作
二、 崗位
III-V族化合物半導體材料的物理化學性質測試和相關工藝技術的研發工作
三、 人選要求：
（一）熱愛科研工作，踏實努力，具有責任心和團隊合作精神；
（二）具有如下專業背景（任一）：半導體物理、材料物理與化學、材料學、半導體材料或相近專業的優秀碩士畢業生或以上，博士優先；
（三）優先考慮具有如下至少一項研究背景與專長的申請者：
a)晶體材料生長技術：LEC、VGF等熔體法單晶生長技術；
b)半導體材料測試與表征技術：XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等；
c) 半導體材料化學腐蝕及表面性質研究；
（四）有在相關領域發表專業文章的經歷；
（五）研究生優先考慮有半導體化學、工藝制備、測試表征、超凈間工作經驗者。
四、 相關待遇：
1. 按照中國科學院及半導體研究所的相關規定辦理五險一金，薪酬從優，面談。
2. 北京戶口有望進入編制。
3. 業績突出者將享有項目績效。
五、 應聘方式：
（1）應聘者需提交個人詳細履歷 和《崗位應聘申請表》，電子郵件方式發送至shenguiying@semi.ac.cn；
（2）初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；
六、 聯系方式：
有意者請將個人簡歷及能夠體現個人能力的相關資料發送至: shenguiying@semi.ac.cn 電話：010-82304848
郵件主題中請注明“工程師崗位申請—XX（姓名）”，初選合格者將通知面試，未入選者恕不逐一回復。
注：團隊歡迎在讀研究生來所聯合培養！
| 附件列表： |
| 附件下載>>>> 中國科學院半導體所崗位應聘申請表.doc |
信息來源于網絡，如有變更請以原發布者為準。
來源鏈接：
http://www.semi.cas.cn/zszp/202409/t20240904_7332975.html
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業+中國博士人才網）
中國-博士人才網發布
聲明提示：凡本網注明“來源：XXX”的文/圖等稿件，本網轉載出于傳遞更多信息及方便產業探討之目的，并不意味著本站贊同其觀點或證實其內容的真實性，文章內容僅供參考。
