一、平臺簡介
浙江大學杭州國際科創中心是新時代浙江大學和杭州市全面深化市校戰略合作共建的重大科技創新平臺。中心以打造世界一流水平、引領未來發展的全球頂尖科技創新中心為目標，以重大科研任務攻關和大型科技基礎設施建設為主線，形成一批世界頂尖的基礎學科群，建設一批世界頂尖的科學研究基礎設施，匯聚一批世界頂尖的科學家和創新團隊，產出一批具有影響力的重大共性技術成果，集聚一批具有世界競爭力的創新型產業集群，探索有利于基礎研究、應用研究和產業發展全鏈條貫通的體制機制。
先進半導體研究院/金竹團隊
本團隊隸屬于浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室。該研究室在著名半導體材料專家楊德仁院士指導下開展工作，研究室主任為皮孝東教授，張輝教授指導。
課題組帶頭人：金竹“科創百人計劃”研究員 （求是科創學者）
2021年博士畢業于浙江大學化學系，2023年加入浙江大學杭州國際科創中心，擔任研究員（求是科創學者）。近五年承擔/參與國自然青年基金，浙江省尖兵領雁計劃，獲得博士后創新支持計劃、浙江省擇優資助等。發表SCI論文10余篇，包括Science, CrystEngComm, J. Alloy Compound., Appl. Phys. Lett.，等國際知名專業期刊，擔任IFM等期刊的審稿人。
重點引進方向
寬禁帶半導體材料氧化鎵相關研究（有半導體材料研究經驗者即可）
方向1： 探索氧化鎵材料中缺陷與雜質的基本性質
氧化鎵生長過程中會產生位錯，孿晶等多種缺陷，需要對這些缺陷的基本性質進行表征并闡明其機理。
方向2：探索氧化鎵材料的摻雜與電學性能
優化摻雜元素種類、濃度等，調控材料電學性能。
方向3：探索氧化鎵材料同質外延生長
探索氧化鎵材料同質外延生長機理，提高外延薄膜質量
二、申請條件
1.近三年內獲得博士學位，品學兼優，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；
2.保證全職從事博士后研究工作；
3.具有相關學科背景和科研經驗，從事過交叉學科研究者優先考慮；
4.具有良好的團隊合作意識和較強的獨立工作能力；
5.具有良好的英語聽說讀寫能力；
三、待遇及保障條件
1.具體面議，同時可享受地方政府免稅人才補助15萬元/年（外籍人才可享受17.5萬元/年。）；應屆博士畢業生，符合條件者可額外享受10萬元杭州市應屆生人才補貼。
2.提供一流的實驗與科學研究條件，共享浙江大學頂尖學術生態體系
3.提供專項科研經費支持；對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，分別給予相應配套資助和獎勵；對生源優秀或取得標志成果的博士后，給予額外獎勵（相關獎勵可疊加）
4.符合條件的，可申報博士后海外引才專項，享受三年生活補助和安家費相關政策
5.表現優秀、業績突出者，如符合相應要求，可優先推薦申請科創中心青年人才、技術研發等崗位
6.在站期間，符合條件者可申報科創中心相關系列高級專業技術職務；出站優秀者入職科創中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。
7.出站后留杭或蕭山工作的，可申請杭州市D類人才或蕭山區政府相應人才政策
8.符合條件者可享受科創中心人才房政策
9.協助解決子女教育入學、辦理落戶、政府人才配套用房申請、人才項目申報、人才認定等
10.提供一流的科研條件和博士后聯誼會交流平臺，享受園區一站式保障服務，如食堂、健身房、體育館等
四、申請材料
1.個人簡歷；
2.表明研究能力和學術水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等）及佐證材料；
3.博士學位論文。
申請人請將以上申請材料發送至聯系人郵箱：jinzhuu@zju.edu.cn
附件和郵件主題均以“鄧天琪課題組+博士后/技術開發專家+姓名”標明
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業+中國博士人才網）
中國-博士人才網發布
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