中國科學院半導體研究所(Institute of Semiconductors , CAS)是集半導體物理、材料、器件研究及系統集成應用的國家級綜合性研究所，于1960年在北京成立。半導體所現有在職科研人員600余名。中國科學院院士6名，中國工程院院士2名，海外高層次人才28人，國家“萬人計劃”入選者4人，國家杰出青年科學基金獲得者16人，“百千萬人才工程”入選者11人。設有3個博士后流動站，3個一級學科博士培養點，3個工程碩士培養點。
中國科學院半導體研究所擁有優秀的研究隊伍、科研平臺和教學基地。物理研究--半導體超晶格國家重點實驗室；材料研究--中科院半導體材料科學重點實驗室；光電子器件研究--集成光電子學國家重點實驗室、國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程技術研究中心、半導體照明聯合創新國家重點實驗室、中科院固態光電信息技術重點實驗室以及納米光電子、全固態光源和光電系統實驗室；半導體工藝平臺-半導體集成技術工程研究中心并牽頭北京信息電子大型儀器區域中心；特色微電子-高速電路、生物醫療、基于神經網絡的芯片及系統等。半導體所是中國科學院半導體材料與光電子器件卓越創新中心的依托單位，中國科學院大學材料科學與光電技術學院的主辦單位，材料科學與工程入選國家一流學科。在相關研究領域已取得一系列重大原創性成果，近年來獲得國家自然科學獎、國家科技進步獎等多項獎勵，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。
根據戰略發展需要，現誠邀海內外優秀科技人才加入半導體所。
一、主要研究方向
半導體物理與器件物理研究；先進半導體材料及應用；半導體光電子器件及集成；半導體微納結構與器件；高功率全固態激光及應用；人工神經網絡與智能芯片；半導體激光傳感與成像；其他半導體新興研究領域。
二、招聘崗位
（一）優秀人才A類崗位
1．崗位要求
（1）原則上年齡不超過50周歲。
（2）海外申請人應具有在海外知名科研機構、高�；虼笮推髽I研發機構等擔任教授或相當崗位的任職經歷。特別優秀或急需者，可放寬至副教授或相當崗位的任職經歷。
國內申請人應具有在國內知名科研機構、高校或大型企業研發機構等擔任教授或相當崗位的任職經歷，是國內相關領域優秀的學術技術帶頭人。
（3）引進后需全職到崗工作。
2．崗位待遇
（1）聘任為研究員、博士生導師，協助建立研究團隊；
（2）600萬元科研啟動經費，100萬元安居補助；
（3）提供有競爭力的薪酬待遇；
（4）提供科研所需的辦公和實驗用房；
（5）優先安排人才公寓或周轉房；
（6）協助解決子女入學。
（二）優秀人才B類崗位
1．崗位要求
（1）原則上年齡不超過40周歲。
（2）申請人應具有取得博士學位后在海外知名科研機構、高�；虼笮推髽I研發機構連續不少于3年（含）的科研工作經歷（在海外取得博士學位且特別優秀或急需者，海外工作年限可適當放寬）。
海外申請人通過國家或單位派出赴海外學習工作的，申請項目時應妥善處理與原派出單位人事和經濟關系。
國內申請人應具有取得博士學位后在知名科研機構、高校或大型企業研發機構不少于3年（含）的科研工作經歷，或具有擔任副教授或相當崗位的任職經歷。國內申請人應為院外單位人員或已履行不少于一個聘期合同的院特別研究助理。
（3）引進后需全職到崗工作。
2．崗位待遇
通過研究所招聘后全職到崗的Ｂ類崗位人才，可享受如下待遇：
（1）聘為副研究員一級，享受研究員四級的崗位津貼；
（2）50萬元科研啟動經費；
（3）提供有競爭力的薪酬待遇；
（4）提供科研所需的辦公和實驗用房；
（5）優先安排人才公寓或周轉房；
（6）協助解決子女入學。
通過擇優正式入選院級相關人才項目的Ｂ類崗位人才，可增加如下待遇：
（1）聘為研究員，博士生導師，協助建立研究團隊；
（2）150萬元科研經費，60萬元安居補助。
三、申請程序
1.歡迎來電來信咨詢，并將填寫完整的崗位申請表、已取得的代表性成果證明材料、今后的工作計劃和團隊建設計劃等發送至：zhaopin@semi.ac.cn；
2.候選人受邀來所答辯，研究所給予國際差旅補貼；
3.通過答辯的申請人與半導體所簽訂工作意向協議書/聘用合同，依托半導體所申報院級人才計劃。
四、聯系方式
地址：北京市海淀區清華東路甲35號（郵編：100083）
聯系人：中國科學院半導體研究所人事處吳穹
郵箱：zhaopin@semi.ac.cn，郵件標題注明：應聘某某崗位+本人姓名 。
電話：86-10-82304192
中國科學院半導體研究所擁有優秀的研究隊伍、科研平臺和教學基地。物理研究--半導體超晶格國家重點實驗室；材料研究--中科院半導體材料科學重點實驗室；光電子器件研究--集成光電子學國家重點實驗室、國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程技術研究中心、半導體照明聯合創新國家重點實驗室、中科院固態光電信息技術重點實驗室以及納米光電子、全固態光源和光電系統實驗室；半導體工藝平臺-半導體集成技術工程研究中心并牽頭北京信息電子大型儀器區域中心；特色微電子-高速電路、生物醫療、基于神經網絡的芯片及系統等。半導體所是中國科學院半導體材料與光電子器件卓越創新中心的依托單位，中國科學院大學材料科學與光電技術學院的主辦單位，材料科學與工程入選國家一流學科。在相關研究領域已取得一系列重大原創性成果，近年來獲得國家自然科學獎、國家科技進步獎等多項獎勵，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。
根據戰略發展需要，現誠邀海內外優秀科技人才加入半導體所。
一、主要研究方向
半導體物理與器件物理研究；先進半導體材料及應用；半導體光電子器件及集成；半導體微納結構與器件；高功率全固態激光及應用；人工神經網絡與智能芯片；半導體激光傳感與成像；其他半導體新興研究領域。
二、招聘崗位
（一）優秀人才A類崗位
1．崗位要求
（1）原則上年齡不超過50周歲。
（2）海外申請人應具有在海外知名科研機構、高�；虼笮推髽I研發機構等擔任教授或相當崗位的任職經歷。特別優秀或急需者，可放寬至副教授或相當崗位的任職經歷。
國內申請人應具有在國內知名科研機構、高校或大型企業研發機構等擔任教授或相當崗位的任職經歷，是國內相關領域優秀的學術技術帶頭人。
（3）引進后需全職到崗工作。
2．崗位待遇
（1）聘任為研究員、博士生導師，協助建立研究團隊；
（2）600萬元科研啟動經費，100萬元安居補助；
（3）提供有競爭力的薪酬待遇；
（4）提供科研所需的辦公和實驗用房；
（5）優先安排人才公寓或周轉房；
（6）協助解決子女入學。
（二）優秀人才B類崗位
1．崗位要求
（1）原則上年齡不超過40周歲。
（2）申請人應具有取得博士學位后在海外知名科研機構、高�；虼笮推髽I研發機構連續不少于3年（含）的科研工作經歷（在海外取得博士學位且特別優秀或急需者，海外工作年限可適當放寬）。
海外申請人通過國家或單位派出赴海外學習工作的，申請項目時應妥善處理與原派出單位人事和經濟關系。
國內申請人應具有取得博士學位后在知名科研機構、高校或大型企業研發機構不少于3年（含）的科研工作經歷，或具有擔任副教授或相當崗位的任職經歷。國內申請人應為院外單位人員或已履行不少于一個聘期合同的院特別研究助理。
（3）引進后需全職到崗工作。
2．崗位待遇
通過研究所招聘后全職到崗的Ｂ類崗位人才，可享受如下待遇：
（1）聘為副研究員一級，享受研究員四級的崗位津貼；
（2）50萬元科研啟動經費；
（3）提供有競爭力的薪酬待遇；
（4）提供科研所需的辦公和實驗用房；
（5）優先安排人才公寓或周轉房；
（6）協助解決子女入學。
通過擇優正式入選院級相關人才項目的Ｂ類崗位人才，可增加如下待遇：
（1）聘為研究員，博士生導師，協助建立研究團隊；
（2）150萬元科研經費，60萬元安居補助。
三、申請程序
1.歡迎來電來信咨詢，并將填寫完整的崗位申請表、已取得的代表性成果證明材料、今后的工作計劃和團隊建設計劃等發送至：zhaopin@semi.ac.cn；
2.候選人受邀來所答辯，研究所給予國際差旅補貼；
3.通過答辯的申請人與半導體所簽訂工作意向協議書/聘用合同，依托半導體所申報院級人才計劃。
四、聯系方式
地址：北京市海淀區清華東路甲35號（郵編：100083）
聯系人：中國科學院半導體研究所人事處吳穹
郵箱：zhaopin@semi.ac.cn，郵件標題注明：應聘某某崗位+本人姓名 。
電話：86-10-82304192
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業+中國博士人才網）
中國-博士人才網發布
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