中國科學院半導體研究所光電子材料與器件全國重點實驗室硅基光電子材料與器件課題組（光電M組）致力于研究新型硅基IV族半導體材料及相關材料物理，研制高性能紅外光電器件及面向光通信的硅基光電子模塊、芯片。現因工作需要，擬招聘博士后1-2人。
一、應聘條件及相關待遇
1、微電子學與固體電子學、電子信息、物理學、材料學、半導體、無機化學等相關學科專業的優秀博士畢業生；
2、優先考慮具有如下至少一項研究背景與專長的申請者：
a)材料外延生長技術：CVD、MBE等；
b)半導體材料測試與表征技術：XRD、TEM、SEM、AFM、SIMS、RBS、PL等；
c)半導體器件制備工藝：EBL、紫外光刻、ICP/RIE刻蝕、PECVD沉積、金屬蒸鍍等；
d)半導體光電子器件設計、制作、測試：激光器、調制器（MZM、MRM、EAM）等；
e)硅光集成技術、設計等；
3、具有良好的實驗操作技巧，認真、細心、謹慎、執行力強，富有高度的責任心和團隊協作精神，具備較好的組織協調能力與口頭、書面交流溝通能力，學風嚴謹，品格優良，誠信友善，身心健康，無煙酒等不良嗜好；
4、通過英語四級考試，英語水平優秀者優先；
5、具有優秀的項目管理能力及豐富的項目跟進經驗，包括但不限于：項目申請書、計劃書、節點報告的撰寫，項目任務的跟進與監督，項目各參與方的協調與組織，有大項目跟進經驗者更佳；
6、待遇：按照中國科學院半導體所相關規定辦理五險一金，薪酬從優，具體面議。
二、聯系方式
有意者請將個人簡歷及能夠體現個人能力的相關資料發送至:chixu@semi.ac.cn
郵件主題中請注明“博士后申請—XX（姓名）”，初選合格者將通知面試，未入選者恕不逐一回復。
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來源鏈接：
http://www.semi.cas.cn/zszp/202505/t20250526_7791245.html
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業+中國博士人才網）
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