一、研究所簡介
1956年，在新中國首個中長期科學技術發展的綱領性文件——《1956-1967年科學技術發展遠景規劃》中，半導體科學技術被確立為國家新技術發展的四大緊急措施之一。為奠定中國半導體科學技術研究的基石、構建系統化的研發體系，我國于1960年9月在北京成立中國科學院半導體研究所(Institute of Semiconductors, CAS)，開啟了中國半導體科學技術的發展之路。
建所65年來，半導體研究所在我國半導體科技發展的各個歷史階段均做出了重大貢獻，取得了令人矚目的成就：中國第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶，第一只鍺晶體管、硅平面晶體管，第一塊集成電路，第一臺硅單晶爐、區熔爐等，均誕生于半導體研究所。研究所共獲得國家級獎勵近40項，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。
半導體研究所作為集半導體物理、材料、器件研究及系統應用為一體的國家級綜合性研究機構，擁有兩個全國重點實驗室——光電子材料與器件全國重點實驗室、半導體芯片物理與技術全國重點實驗室；兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；一個院級實驗室——中國科學院固態光電信息技術重點實驗室；還設有納米光電子實驗室、人工智能與高速電路實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室、寬禁帶半導體研發中心、光電子工程中心、半導體集成技術工程研究中心和元器件檢測中心。現有職工700余人，其中包括中國科學院院士8名，中國工程院院士1名，高層次引進人才計劃入選者53人，國家級領軍人才計劃入選者27 人，國家級青年人才計劃入選者17人。研究所設有3個博士后流動站，擁有8個學術型學科專業博士和碩士培養點，以及2個專業學位領域培養點。作為中國科學院大學材料科學與光電技術學院的主辦單位，研究所主辦的“材料科學與工程”學科入選國家一流學科。
二、研究所科研條件支撐平臺
研究所構建了覆蓋半導體研發制造全鏈條的國際一流設施和技術體系，涵蓋材料仿真、分子束外延生長、納米光刻、等離子刻蝕、先進封裝及晶圓級測試等全流程能力，包括：從原子級到系統級半導體材料與器件仿真，從分子束外延到納米級電子束光刻系統，從等離子體刻蝕系統到晶圓級先進封裝，以及完備的材料表征實驗室和晶圓級測試平臺。研究所現有百級/千級超凈實驗室總面積逾6000平方米，大型半導體設備種類齊全，可制備III-V族化合物、寬禁帶以及硅基等多種先進半導體材料與器件，工作波長覆蓋紫外、可見光、紅外、太赫茲至微波波段，形成了“機理-設計-制造-封裝-測試”五位一體的完整研發閉環，可為微電子和光電子系統提供從原型開發到小批量試制的全周期支撐。
三、招聘領域
半導體所擬在半導體科學與技術相關領域（包括但不限于凝聚態物理、半導體物理、半導體器件物理、半導體材料與器件、半導體光電子學、微電子學與固體電子學、物理電子學、集成電路科學與工程、光學工程、電路與系統、電子信息、材料與化工等學科方向）招聘海內外青年人才。
四、招聘崗位
詳見《中國科學院半導體研究所特別研究助理（博士后）招聘計劃》（附件1）。
五、應聘條件
1.獲得博士學位，且獲學位時間一般不超過3年；
2.身心健康，年齡在35周歲以下（含35歲）；
3.進站后保證全脫產從事博士后研究工作；
4.恪守科研道德和學術規范，學風正派，愛崗敬業，誠實守信；
5.具有較大發展潛力，較好的創新研究成果，良好的團隊協作精神；
6.符合全國博管會及研究所招收博士后的相關要求。
六、福利待遇
1.半導體所提供有競爭力的薪酬待遇，享受完備的社保和福利待遇；
2.支持申請國家資助博士后研究人員計劃（A/B/C檔）、博士后國（境）外交流項目、中國科學院特別研究助理資助項目、中國博士后科學基金、國家自然科學基金等基金項目；
3.成果優秀的博士后出站后可優先競聘半導體所的相關工作崗位；
4.享受全國博管會關于出站博士后戶口遷移及家屬戶口隨遷等政策。
七、應聘材料
1.《中國科學院半導體研究所特別研究助理（博士后）申請表》（附件2）；
2.證明個人能力的材料，如：博士學位論文、論文著作首頁、專利證書、獲獎證書復印件等；
3.畢業證書、學位證書掃描件(未獲得學位可暫用培養單位證明代替)。
八、應聘程序
應聘者以電子郵件附件的形式將應聘材料發送至各崗位聯系人郵箱，郵件標題請注明“博士后競聘+姓名+專業+畢業學校”。研究所各相關部門將對應聘人員進行資格審查，并電話或郵件通知初審合格者后續招聘事宜，資格審查未通過者，不再另行告知。
應聘過程中如有政策問題請聯系半導體所人事教育處：
聯系人：陳老師
電話：010-82305345
地址：北京市海淀區清華東路甲35號
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為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業+中國博士人才網）
中國-博士人才網發布
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